随着新能源汽车、5G基站、数据中心等领域的快速发展，第三代半导体材料碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）凭借其优异的物理特性，正在逐步取代传统硅基功率器件。本文将从SiCGaN模块的性能优势、测试挑战、核心测试项及方法等方面展开分析，并结合